加工設備の一例

株式会社NCネットワーク様

概要と代表的な用途例

反応容器内を真空にして、金属や金属酸化物、窒化物、炭化物などをガス化あるいはイオン化し
て品物の表面に蒸着させるめっき技術です。
PVD(真空蒸着やスパッタリング、イオンプレーティングなど)、CVDなど多様な手法が機能や装
飾用途で活用されています。
ハーフミラーや導電性ITO膜、DLCなどの超硬質皮膜などを付与できます。
半導体製造には不可欠な技術でもあります。

主な利点・欠点

利点:
大半の金属、非金属素材に処理が可能です。
金属単体だけでなく、金属の化合物薄膜も作成できるので、耐摩耗性に優れた装飾皮膜から、金
型や工具類の超硬質コーティングまで、広い分野で利用されています。

欠点:
電気めっきに比較して量産性が低く、高コストとなってしまいます。
装飾用途の場合、皮膜の種類によってはトップコートが必要になります。

PVD(物理気相成長法)とCVD(化学気相成長法)の原理

PVD(物理気相成長法)の原理
蒸着法 蒸着法は真空中で膜にしたい材料を蒸発さ せ、その蒸気が基板に到着して堆積すること で皮膜を形成する方法です。蒸発材料や基板 に電気的に印加させることもなく、気化した 材料がそのまま基板に到達するため基板のダ メージが少なく、純度の高い皮膜が形成で きます。
イオンプレーティング イオンプレーティングは蒸着法とほぼ同じ原 理で、異なるのは蒸発粒子をプラズマ中を通 過させプラスの電荷を帯させ基板にマイナス の電荷を印加して蒸発粒子を引きつけて堆積 させ皮膜を形成させます。蒸着法に比べ密着 性の強い皮膜が形成されます。
スパッタリング スパッタリングは、プラズマなどにより高い エネルギーをもった粒子を材料に衝突さ せ、その衝撃で材料成分をたたき出し、そ の粒子を基板上に膜を堆積させることで皮膜 を形成する方法です。材料をそのままたたき 出しているので合金の成分がそのまま基板上 に堆積することができます。
CVD(化学気相成長法)の原理
プラズマCVD 膜としたい元素を含むガスを導入し、プラズ マにより励起(れいき)や分解をさせて基 板表面で吸着・反応等を経て皮膜を形成す る方法で。プラズマを用いるため、熱CVD に比べて低温での成膜が可能でありPVD法 と比べても非常につき周りが良い特徴があ ります。